单电子隧穿相关论文
本文通过对量子点阵列电子隧穿输运特性的分析,阐明了其输运特性具有极快速神经型学习算法的特点,提出了采用量子点阵列进行信号模......
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子......
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍......
首先简要介绍了单电子电子学的历史、单电子正统理论以及基本的单电子器件.然后论述了该文作者基于国际上有代表性单电子模拟器MOS......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
量子点热机是由两个温度和化学势都不同的热库与量子点构成的.基于随机主方程,我们推导出电子在两个热库之间传输的粒子流表达式,......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线......
基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真......
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工......
单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件．器件在周期时钟信号的作用下，每个周期有n个（通常是一个）电子从源端搬运到......
单电子隧穿效应通常只能在低温下实现。最近，采用扫描隧道显微术在纳米尺度的范围内实现了室温单电子隧穿，清晰地观察到了库仑阻塞现......
采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方......
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺，在p型SIMOX(separation by implanted oxygen）硅片上成功制造的一种单电子晶体......
当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子......
以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合，着重介绍了......
纳米结构的制备和纳米电子器件(单电子晶体管、单电子存储器等单电子器件)的研究是纳米电子技术中最重要的研究内容之一，是最具有生......
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电......
利用针尖修饰及的米组装技术，采用三种不同的新方法构造出串联双隧穿结结构。同时，在此三种结构上，在墁大气条件下，成功地观察到了明显......
