Pr0.7Sr0.3MnO3薄膜的室温电阻开关特性

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【摘要】

：

存储器件是今天信息产业的前提。随着器件尺寸的越来越小,低于100nm,电子器件的微型化是半导体行业面临的挑战。为了克服基于电荷存储的传统半导体存储器件的限制,各种新型的的非易失性存储器件(NVM)如雨后春笋般涌现,其中包括磁随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)及电阻随机存储器(RRAM)。在这些存储器件中,RRAM,因为其简单的组成结构、低能耗、高的转换速率及高密度集成,越来

【作者】

：

刘晓娜

【机构】

：

河南大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

Pr0.7Sr0.3MnO3 （PSMO）薄膜电阻开关脉冲激光沉积(PLD) I-V特性界面效应

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