近年来,有机电致发光器件（OLEDs）经过三十多年的极速发展,已经进入到产业化进程,在手机和电视中都已经量产。磷光铱配合物因为具有发光颜色易调节、效率高和热稳定性好等优点得到广泛关注。提高铱配合物的电子迁移率有利于器件中电子的传输,增加电子和空穴的复合几率和复合区域,得到高性能的OLEDs。本论文中,通过修饰主配体和辅助配体的结构,得到一系列具有高电子迁移率的铱配合物,其器件也表现出良好的性能。具体内容如下:1.以2-（3,5-二三氟甲基苯基）嘧啶（tfmphpm）和2-（2,6-二三氟甲基吡啶-4-）嘧啶（tfm ppm）为主配体,2-（5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-）苯酚（pop）为辅助配体合成了两例绿光铱配合物Ir（tfmphpm）2（pop）和Ir（tfmppm）₂（pop）,它们的最大发射波长分别为501和505 nm,相对量子效率分别为0.87和0.94。在1040(V cm^-1)^1/2到1300(V cm^-1)^1/2的电场下,Ir（tfmphpm）2（pop）和Ir（tfmppm）₂（pop）的电子迁移率分别为6.05-6.21 × l0-6 cm² V^-1 s^-1和6.67-6.90 × 10-6 c1cm² V^-1 s^-1。为了研究Ir（tfmphpm）2（pop）和Ir（tfmppm）₂（pop）的电致发光性能,制备了单发光层器件。相比较而言,基于Ir（tfmppm）₂（pop）的器件性能更好,其最大亮度（Lmax）、最大电流效率（ηc,max）、最大功率效率（ηp,max）和最大外量子（EQEmax）效率分别为48 981 cd m-2、92.79 cd A^-1、39.46 lm W^-1和31.8%。这可归因于配合物Ir（tfmppm）₂（pop）中更多氮原子的引入改变了配合物中电子云的分布,使得LUMO能级降低,同时也提高了配合物的电子迁移率。而较低的LUMO能级和较高的电子迁移率有利于电子的注入和传输,从而增大载流子的复合几率和复合区域,得到高性能的OLEDs。2.以2-（2,6-二三氟甲基吡啶-4-）嘧啶（tfmppm）、2-（2,6-二三氟甲基吡啶-4-）-5-氟嘧啶（f-4-tfmppm）和2-（2,6-二三氟甲基吡啶-3-）-5-氟嘧啶（f-3-tfmppm）为主配体,乙酰丙酮（acac）和四苯基磷酰亚胺（tpip）为辅助配体合成了四例绿光铱配合物,它们的最大发射波长分别为495、501、497和500nm,相对量子效率分别为0.85、0.89、0.92和0.94。随着主配体结构的修饰和辅助配体的改变,配合物Ir（tfmppm）₂（acac）、Ir（tfmppm）₂（tpip）、Ir（f-4-tfmppm）2（tpip）和 Ir（f-3-tfmppm）2（tpip）的LUMO能级逐渐降低,电子迁移率逐渐提高。在1040(Vcm^-1)^1/2到1300(V cm^-1)^1/2的电场下,它们的电子迁移率分别为4.99-5.04 ×10-6cm²V^-1s^-1、5.00-5.45 × 1 0-6 cm² V^-1 s1、5.26-5.81 × 1 0-6 cm² V^-1 s^-1和6.23-6.92 × 1 0-6 cm² V^-1 s^-1。以该系列配合物为发光中心制备单发光层器件探究其电致发光性能。以tpip为辅助配体的铱配合物的光电性能更好,同时,取代基的差异也会影响配合物的性质。其中,基于Ir（f-3-tfmppm）2（tpip）的器件性能最好,器件的Lmax、ηc,max、ηp,max和EQEmax可分别高达44 446 cd m-2、92.83 cd A^-1、76.80 lm W^-1和29.5%。3.以1-（2,6-二三氟甲基吡啶-4-）异喹啉（tfmpiq）和4-（2,6-二三氟甲基吡啶-4-）喹唑啉（tfmpqz）为主配体,acac为辅助配体合成两例橙红光配合物Ir（tfmpiq）2（acac）和Ir（tfmpqz）2（acac）,它们的最大发射波长分别为587和588 nm,相对量子效率分别为0.42和0.91。其中,喹唑啉基团的引入对配合物的电子云分布有明显的影响:降低了LUMO能级,并极大的提升了配合物的内量子效率和电子迁移率。在1040(V cm^-1)^1/2到1300(V cm^-1)^1/2的电场下,Ir（tfmpiq）2（acac）和Ir（tfmpqz）2（acac）的电子迁移率分别为8.57-8.65 × 10-6 cm² V^-1 s^-1和9.47-10.23 ×10-6 cm²V^-1 s1。除了修饰配合物结构,提高配合物的电子迁移率得到高性能的OLEDs,优化器件结构也可以进一步增大载流子的复合几率和复合区域,提升器件性能。首先制备单发光层器件初步研究配合物的电致发光性能。其中,基于Ir（tfm pqz）2（3acac）的器件G2性能较好,其Lmax、ηc,max、ηp,max和EQEmax分别为66 716 cdm-2、43.76 cd A^-1、38.17lm W^-1和14.8%。双发光层器件可以降低载流子注入能垒,增加电子-空穴的复合几率和复合区域。为了获得更好的性能,制备双发光层器件进一步探究Ir（tfmpiq）2（acac）和Ir（tfmpqz）2（acac）的电致发光性质。相对单发光层器件G1和G2来说,双发光层器件G3和G4的性能得到了明显的提升。其中以Ir（tfmpqz）2（acac）为发光中心的器件G4的Lmax、ηc,max、ηp,max和EQEmax可分别高达96609cdm-2、59.09cd A^-1、53.61 1m W1和20.2%。4.由于以tfmpiq和tfmpqz为主配体的配合物表现出了优良的性能,进一步以具有较大的空间结构和强极性基团P=O的tpip为辅助配体,合成了两例橙红光铱配合物Ir（tfmpiq）2（tpip）和Ir（tfmpqz）2（tpip）,它们的最大发射波长为591和589 nm,相对量子效率分别为0.47和0.98。在1040(V cm^-1)^1/2到1300(V cm^-1)^1/2的电场下,它们的电子迁移率分别为6.44-7.20 × 10-6 cm² V^-1 s^-1和8.93-9.47 ×10-6 cm² V^-1 s^-1。以Ir（tfmpiq）2（tpip）和Ir（tfmpqz）2（tpip）为发光材料的单发光层器件以及双发光层器件均得到了较好的性能。其中,基于Ir（tfmpqz）2（tpip）的双发光层器件性能最好,器件的Lmax、ηLmax、ηc,max、ηp,max和EQEmax可高达125 572cd m-2、57.19cd A^-1、42.76 lm W1和18.7%。Eu（DBM）3phen因为具有较低LUMO能级,可以作为敏化剂,从而优先捕获电子,同时降低电子在主体材料的富集;此外其较低的HOMO能级使空穴较难传输到敏化剂,因此空穴和电子的复合将主要发生在铱配合物上。因此,制备了加入稀土配合物敏化的双发光层器件继续探究Ir（tfmpqz）2（tpip）的器件性能。器件的Lmax、ηc,maxηp,max和EQEmax分别提高到129466cdm-2、62.96cdA^-1、53.43lm W^-1和20.2%。而且,在亮度为1000 cd m-2,电流效率仍可高达58.84cd A^-1。5.以1-（3,5-二三氟甲基苯基）异喹啉（tfmphiq）和4-（3,5-二三氟甲基苯基）喹唑啉（tfmphqz）为主配体,tpip为辅助配体合成了黄光铱配合物Ir（tfmphiq）2（tpip）和Ir（tfmphqz）2（tpip）。在1040(Vcm^-1)^1/2到1300(Vcm^-1)^1/2的电场下,它们的电子迁移率分别为8.14-8.6]× 10-6 cm² V1 s^-1和9.38-10.00 × 10-6 cm² V^-1s^-1。采用单发光层器件结构对Ir（tfmphiq）2（tpip）和Ir（tfmphqz）2（tpip）的光电性能进行了研究。其中基于Ir（tfmphqz）2（tpip）的器件性能较好,器件的Lmax、ηc,max、ηp.max和EQEmax分别为96 377 cd m-2、106.66 cd A^-11、64.72 lm W^-1和29.7%。