激光热刻蚀是一种制备高分辨微纳结构的新技术。本文系统研究了AgInSbTe和ZnS-SiO2薄膜的激光热刻蚀特性，主要研究内容包括:晶化条件对AgInSbTe（以下简称AIST）薄膜物相结构的影响;氢氧化钠(NaOH)和硫化铵((NH4)2S）溶液浓度、晶化条件以及薄膜组分对AIST薄膜腐蚀选择特性的影响;氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)浓度比以及热退火温度对ZnS-SiO2薄膜腐蚀选择特性的影响;衬底材料、热传导层薄膜和激光直写条件对制备AIST和ZnS-SiO2激光热刻蚀图形结构形貌和特征尺寸的影响。　　 在此基础上，采用激光波长为405nm，数值孔径为0.90的激光直写系统在AIST薄膜上成功制备出了点直径为130nm和线宽为140nm的激光热刻蚀结构，突破了使用的激光直写系统的衍射极限275nm。以具有非线性反饱和吸收特性的有机薄膜作为激光热刻蚀材料ZnS-SiO2的光吸收和热传导层，采用上述激光直写系统在ZnS-SiO2薄膜上成功制备出了最小点直径为145nm的激光热刻蚀结构。通过设计激光热刻蚀膜层结构，在激光热刻蚀AIST膜层下方插入热扩散系数大于AIST薄膜的热传导层，如Ag或Al，可以改变热量在AIST膜层内的热扩散方向，将AIST激光热刻蚀图形结构的分辨率提高20％以上。