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氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
紫外光发射材料与技术教育部重点实验室依托于东北师范大学先进光电子功能材料研究中心组建而成。2009年6月建设计划通过论证。实......
ZnO作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，与其合金材料ZnMgO成为继GaN材料后最受到关注的理想紫外光电材料，ZnO的禁带宽度高达3.37eV，当......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。近年来伴随着纳米材料的发展,ZnO一......
该论文主要是对SiC、ZnO的紫外光电器件进行研究.全文有五章,其中主要内容有四章,分别简单介绍如下.第二章和第四章分别综述了宽禁......
在这篇文章中讲述ZnO欧姆电极的制备与ZnO：Al/p-Si异质结紫外光电特性研究，还要介绍基于Si衬底的ZnO薄膜MSMUV增强光电探测器的研......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37ev)半导体材料，其激子束缚能高达60meV。可控制生长的ZnO纳米阵列被认为在太阳能电池，光催化......
探测器及其制造技术广泛地应用于军事、科技、民用等研究领域.随着越来越高的需求和半导体材料制备技术的发展,机械性能好、化学稳......
