Zn-Bi（ZnBiO）基压敏陶瓷电阻因为其优良的非线性压敏特性,广泛地应用于电子设备及电力系统等领域,是目前应用范围最为广泛的压敏陶瓷体系。近年来,集成电路的广泛应用对低压叠层片式压敏电阻用低温烧结高性能的ZnO基压敏陶瓷提出了更高的需求。传统的ZnO-Bi₂O₃（ZnBiO）和ZnO-Pr₆O₁₁（ZnPrO）基压敏陶瓷漏电流小,但是烧结温度过高。ZnO-V₂O₅（ZnVO）烧结温度低、但是漏电流偏大,无法满足上述条件。因此本文基于ZnVMnNbO基压敏陶瓷,将其中的V₂O₅替换为Bi₂O₃,设计出可能兼具传统ZnBiO基压敏陶瓷低漏电流特性和ZnVO基低温烧结特性的ZnBiMnNbO基压敏陶瓷。在此基础上,研究Co₂O₃的掺杂量（0-0.2mol%）、烧结温度（825-900℃）和包头某生产线上产出的镧铈稀土半成品热分解产物的掺杂量（0-0.1mol%）、保温时间（2-5h）对ZnBiMnNbO基压敏陶瓷的影响及作用机理,制备高性能稀土掺杂ZnBiMnNbO基压敏陶瓷。首先,研究了在相同掺杂环境和烧结温度下Bi和V在ZnO基压敏陶瓷中作为压敏形成元素的作用。研究结果表明ZnBiMnNbO基压敏陶瓷在烧结温度在900℃保温时间3h时可以烧结且电学性能最优,非线性系数为31.83,漏电流密度为3.75μA/cm²,击穿电压为576.75 V/mm。ZnBiMnNbO基压敏陶瓷的非线性系数高于相同条件下制备的ZnVMnNbO基压敏陶瓷,且漏电流（3.75μA/cm²）远远小于ZnVMnNbO基压敏陶瓷（281μA/cm²）的漏电流,所以在ZnO基陶瓷中,Bi比V更能有效地激发非线性电学性能。随着Co₂O₃含量在（0-0.2mol%）范围内增加,ZnBiMnNbO基压敏陶瓷的密度逐渐增加、平均晶粒直径从3.83μm增大到4.32μm,且会生成Bi_7.53Co_0.47O_11.92的第二相。根据I-V测试结果显示在850℃掺杂量为0.1mol%Co₂O₃的ZnBiMnNbO基压敏陶瓷综合电学性能最优,非线性系数30.85,漏电流密度3.1μA/cm²,压敏电压780.85V/mm。随着镧铈稀土半成品热分解产物含量在（0-0.1mol%）范围内增加,ZnBiMnNbO基压敏陶瓷的密度逐渐增加、平均晶粒直径从6.36μm减小到5.62μm、CeO₂、La₂O₃两种第二相逐渐生成。根据I-V测试结果显示掺杂0.05mol%镧铈稀土半成品热分解产物在900℃保温4h下烧结的压敏性能最优:非线性系数可达到44.11,压敏电压为614.04V/mm,漏电流密度为2.048μA/cm²。