航空航天、武器装备等行业的不断发展,对硅微加速度传感器提出了更苛刻的要求:高可靠性、抗高过载、体积小、低功耗等等。在此背景下,本课题对厚膜混合集成硅微加速度传感器进行了研究。本文首先对当前微硅加速度传感器的发展现状及趋势进行了分析,对微硅加速度传感器的集成技术进行分析、比较,选择厚膜混合集成技术来实现微硅加速度传感器的集成,并设计了集成方案。根据微硅加速度传感器芯片的结构以及电桥的连接方式,设计了微硅加速度传感器的信号调节电路,电路以恒流方式供电,运用二点补偿法以补偿电阻网络形式对硅微加速度传感器芯片输出进行温度补偿。电路采用了利于生产调试的形式,既实现了信号补偿和放大的功能,又减少了实际生产的工作量。本文给出了厚膜混合集成电路的版图,结合加工单位的工艺特点,设计了切实可行的制作工艺流程。采用厚膜工艺与表面组装技术,以厚膜混合集成电路的形式,实现了硅微加速度传感器芯片与温度补偿电路及信号放大电路的集成。最后对集成后的微硅加速度传感器的性能指标进行了测试,测试结果表明厚膜混合集成微硅传感器的性能稳定可靠,这也证明了设计方法的正确性及加工工艺的可行性。