【摘 要】
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三元化合物Al4SiC4陶瓷具有低密度(理论密度为3.03g/cm3)、高熔点(为2080℃)、较大的导热系数(初步研究结果达到80W/mK)以及优异的抗氧化性能，是一种有很好应用前景的高温
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三元化合物Al4SiC4陶瓷具有低密度(理论密度为3.03g/cm3)、高熔点(为2080℃)、较大的导热系数(初步研究结果达到80W/mK)以及优异的抗氧化性能，是一种有很好应用前景的高温结构材料。本文研究了一种创新的Al4SiC4陶瓷制备工艺，其主要特征在于：(1)使用聚碳硅烷(PCS)、Al粉和天然石墨粉为原料，(2)采用低温(1100℃)煅烧工艺制备中间体化合物粉末(Al4C3和纳米级SiC混合物)，(3)采用反应热压方法将中间体化合物粉末烧结成为大块Al4SiC4陶瓷。同时研究了Al4SiC4陶瓷的组织结构特征、室温和高温力学性能以及高温氧化行为。
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