随着人工智能时代的到来,半导体芯片技术的发展越来越迅速,模拟集成电路的地位也越来越重要,国家对集成电路的支持力度也在迅速增加。作为芯片设计的核心,模拟集成电路设计一直以来都是研究的热点。随着工艺的进步,模拟集成电路的规模也越来越大,设计需要参考的指标也越来越多,约束关系也越来越复杂,基于gm/ID参数设计方法的研究为缩短设计周期,提高设计效率和设计命中率具有重要的现实意义。本文首先介绍了 CSM模型下的MOS管的电流解析及EKV模型下的小信号参数,通过小信号参数的关系提出了一种基于优化gm/ID参数的模拟集成电路设计优化方法。通过研究gm/ID参数与工作在不同状态下MOS管的工作特性的关系验证该方法的可靠性,提取MOS管小信号参数,建立以gm/ID参数为中心的关系曲线簇与查找表,能够快速地确定器件的参数,简化设计流程与计算,手工估算阶段的精确计算可以有效地减少由于设计者经验不足引起的误差。以设计CMOS简单两级运算放大器为例,具体阐述gm/ID查表法的设计步骤与优化方法,基于Cadence Spectre 0.5 μm工艺对电路进行仿真,仿真结果表明,该方法进行的手工估算与仿真值的误差在可接受范围以内,达到设计要求,证明了改方法具有良好的设计效果。