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反应磁控溅射制备AZO薄膜及其不稳定性
【摘 要】
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Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜具有高透明度和良好导电性,在透明薄膜晶体管、透明导电电极等方面有着广泛的应用前景,有望替代目前普遍应用的氧化铟锡(ITO)透明导电材料。反应磁控溅射是一种高效的薄膜沉积方法,但反应磁控溅射沉积AZO薄膜的工艺不稳定性限制了其在工业生产中的广泛应用。本论文采用Al的质量百分比为5%的Zn-Al合金靶,重点研究了反应射频磁控溅射沉积工艺对AZO薄膜光学和电学性能的影响,探
【机 构】
:
大连理工大学
【出 处】
:
大连理工大学
【发表日期】
:
2019年01期
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