本论文主要针对Ⅲ—Ⅴ族量子级联激光器的实验材料,进行了XRD以及PL谱的分析。目的是得到材料的精确的厚度以及组分,与我们所预期的结构进行对比,进而指导材料的生长,为得到结构更好的材料,性能更好的器件提供帮助。本论文主要得到了以下研究成果:1.利用高分辨率的X’pert多晶衍射仪,测量了以InP为衬底的单层InGaAs和InAlAs材料的三轴二维倒空间Mapping,研究得到了单层材料的错向角以及垂直衬底方向的失配度。并且,利用X射线摇摆曲线,得到了单层材料的精确的体失配度以及材料的组分。2.测量了以InP为衬底的InGaAs/InAlAs超晶格材料的三轴二维倒空间Mapping,研究得到了超晶格材料的垂直衬底方向的平均失配度。并且,得到了超晶格材料的周期厚度。利用单层材料的相应的信息,研究得到了超晶格中各层材料的厚度。经过X射线模拟软件的验证,模拟得到的超晶格材料的厚度和组分等信息和预期所生长的材料吻合的很好。3.利用Nicolet 860 FTIR傅里叶红外光谱仪测量了与InP衬底近似匹配的InGaAs材料的PL谱线。测量了在相同功率下,不同温度的几组曲线,通过研究分析,得到了各个谱线的对应的波数以及能量。跟据禁带宽度,温度以及材料组分的关系,可以计算得到材料的组分。进而与X射线得到的结果进行对比,作为一种辅助的分析方法,验证我们所长的材料是否符合我们的预期。