一维纳米材料（纳米管和纳米线）以其独特的晶体结构和优异的物理化学性质，最有希望成为构筑纳米电子学和纳米光电子学的理想功能元器件。三氧化钨(WO3)纳米线在电致变色、气敏传感器、锂离子电池、阻变存储器和超导等方面具有显著特性，受到了广泛的关注与研究。但对WO3纳米线场效应性能的研究相对来说就很少。　　 本论文用简单的水热法，合成了具有良好单分散性的WO3一维纳米结构。利用深紫外光刻等工艺，构筑了基于单根WO3纳米线的“金属/半导体/金属”结构的纳米器件。运用LabVIEW编程语言，结合Keithley2602源测单元等实验仪器实现对WO3纳米线器件在不同情况下的电输运性能的测试。主要研究了WO3纳米线器件的场效应特性，以及电压扫描速率、退火时间、气体环境对WO3纳米线器件的场效应特性的影响。主要内容和结果如下:　　 1.在室温下空气中测试WO3纳米线器件，得到性能良好的场效应特性曲线。　　 2.在室温下空气中，采用不同的电压扫描速率测试WO3纳米线器件，发现电压扫描速率越慢，器件的漏极电流IDS越大，场效应越明显。　　 3.把WO3纳米线器件在还原性气体H2中退火后，再在室温下空气中测试，WO3纳米线器件表现出更好的场效应特性，更高的电导率，并出现电流回滞，即忆阻性。而且退火时间越长，漏极电流IDS就越大，场效应越明显。　　 4.对退火后的纳米线器件在室温下真空中测试，纳米线器件的场效应性能依然存在，忆阻性能却消失了。　　 5.研究了WO3纳米线器件的双向可控整流特性，得到良好的双向可控整流特性曲线。