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为了探索InN基异质结光电子器件的发光机理，弄清InN与其它p型半导体之间的异质结能带结构，以及获得InN与GaAs之间良好的界面，我们做了以下工作：1.通过X射线光电子能谱，直接测量了InN与6H-SiC之间的价带补偿，画出了InN与6H-SiC之间的异质结能带结构排列图。确定了InN与6H-SiC之间为Ⅱ型异质结能带排列结构。测得InN与6H-SiC之间的价带补偿为-0.10eV,以此为基础推算出导带补偿为-2.47eV。准确测定InN与6H-SiC之间的价带、导带补偿,对以InN/6H-SiC异质结为基础的光电子器件的设计、原理分析和应用有重要推动作用。2.利用X射线光电子能谱，直接测量出了InN与NiO之间的价带补偿，利用以上数据画出了InN与NiO之间的异质结能带结构排列图。确定了InN与NiO之间为Ⅱ型异质结能带排列结构。测得InN与NiO之间的价带补偿为-0.38eV,以此为基础推算出导带补偿为-3.43eV。准确测定InN与NiO之间的价带、导带补偿,对以InN/NiO异质结为基础的光电子器件、气敏传感器件的设计、原理分析和应用起着基础性的支撑作用。3.通过生长前向p型GaAs衬底喷射In束流并加热形成In滴模板的手段，在衬底上制得了高密度且形貌均一的InN纳米柱阵列。生长一维结构的InN纳米柱，有效地释放了InN与GaAs之间的应力。通过对获得的样品进行原位XPS测量，我们发现所有三个样品的In:N化学计量比都趋近于1:1，说明在一维纳米柱的顶端不存在残留的金属In。没有催化剂和金属In的残留才能保证一维InN纳米柱光学和电学性能的完整性。4.采用衬底高温氮化结合生长低温缓冲层的手段，制得了表面相对光滑平整的InN外延层。通过以上工艺制备的InN/GaAs异质结，其界面特性也得到良好改善，并表现出了整流特性。不采取生长前的氮化步骤时，外延InN与GaAs衬底之间的I-V曲线是直线，不存在整流特性。