有机发光二极管（OLED）、有机电子器件,特别是柔性器件,如可穿戴电子传感器、电子显示纸和柔性印刷电子,受水汽侵蚀后寿命低,因此必须对器件进行阻隔封装。原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）是基于自限制界面反应的薄膜生长技术,可以生长结构致密、高保形、低缺陷密度、性能优异、均匀性好的薄膜,是制备高阻隔纳米级薄膜的主要方法之一,也是柔性有机电子封装主要选择之一。本论文采用等离子体辅助原子层沉积技术（PA-ALD）,以金属前驱体三甲基铝（Al（CH3）3,TMA）为铝源,分别以H2O和O2作为热原子层沉积（T-ALD）和等离子体辅助原子层沉积（PA-ALD）的氧源,在50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上沉积氧化铝（Al2O3）薄膜。在同一设备中还利用分子层沉积技术,以三甲基铝（Al（CH3）3,TMA）和乙二醇（EG）为前驱体制备有机薄膜聚乙二醇铝（alucone）,并将二者结合制备无机-有机复合阻隔薄膜,进行其阻隔性能的研究。论文研究得到的主要结果如下:（1）比较热原子层沉积（T-ALD）、连续等离子体辅助原子层沉积（Continuous PA-ALD）以及脉冲等离子体辅助原子层沉积（Pulsed PA-ALD）制备氧化铝（Al2O3）薄膜,研究不同技术对Al2O3薄膜的生长特性、成分、形貌和阻隔性能的影响。得到在相同参数条件下,Pulsed PA-ALD能进一步促进Al2O3薄膜的生长,且制备薄膜所含杂质少、表面光滑、阻隔性能好;（2）优化Pulsed PA-ALD Al2O3工艺参数（包括基底温度、峰值功率、占空比、Ar/O2比）,得到基底温度为60℃-75℃、峰值功率20W、占空比20%、Ar/O2=80:10时所得Al2O3薄膜表面光滑平整（RMS～1.22 nm）,阻隔性能最好。沉积35 nm Al2O3的PET薄膜的水蒸气透过率（WVTR）为～1.7×10-2 g/（m~2·day）,比PET原膜（～4.89 g/（m~2·day））降低了两个数量级;（3）结合Pulsed PA-ALD和脉冲等离子体辅助分子层沉积（Pulsed PA-MLD）,制备Al2O3/alucone无机-有机复合薄膜,使PET的阻隔性能进一步提高,WVTR值达到～2.9×10-3 g/（m~2·day）。与单层Al2O3薄膜相比柔韧性也得到改善,薄膜的透光性不受影响,50 nm Al2O3/alucone复合薄膜在可见光区域透明度达到99.95%。