【摘 要】
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随着半导体工业的图形化工艺进入100纳米以下的范畴,分辨率增强技术(RET),如光学临近修正(OPC),已成为补偿物理设计者的设计图形与光刻工程师光刻出的图形间的失真的标准手段
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随着半导体工业的图形化工艺进入100纳米以下的范畴,分辨率增强技术(RET),如光学临近修正(OPC),已成为补偿物理设计者的设计图形与光刻工程师光刻出的图形间的失真的标准手段。普遍认为服务于制造的设计(DFM)是光刻线条修正及光学临近修正领域的关键词之一,它减少了设计和制造之间的复杂交互。DFM强有力地进入到硅芯片制造流程中的不同阶段,通常在生产周期中的不同时间点,以及工艺设备和测量仪器中。本论文中,提出了OPC RET方法可以整合到芯片制造流程中,这包括基于工艺窗口的两次曝光技术以及与基于窗口的OPC模型。以迎合不断缩小的特征尺寸带来的挑战。这篇论文还提出了广义的OPC概念,即光学和工艺临近效应修正。随着半导体工业向着更小的关键尺寸方向发展,需要使用更复杂的修正方法,以确保晶圆和掩模版制造的目标公差。提出了一种DFM探索,用以补偿工艺临近效应,它涵盖了厚光刻胶到测量仪器。
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