【摘 要】
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可配置静态存储器(SRAM)模块是现场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可配置性能。本文设计了一款深亚微米工艺下的4-Kb高速双
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可配置静态存储器(SRAM)模块是现场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可配置性能。本文设计了一款深亚微米工艺下的4-Kb高速双端口可配置静态存储器(SRAM),它可以配置为4K×1、2K×2、1K×4、512×8和256×16五种不同的工作模式。基于不同的配置选择,该SRAM可以配置成单端口SRAM、双端口SRAM、ROM、FIFO、大规模查找表或移位寄存器。本文完整的介绍了该SRAM的设计方法,重点介绍了其架构设计和各功能模块的设计实现,以及用于实现可配置功能的电路的设计方法。本文还结合了目前可配置存储器模块的最新发展,对嵌入在可配置存储器模块中的可配置FIFO控制器进行了研究。该SRAM的数据读取时间为5.5ns,工作频率高于100MHz,达到了较高的性能指标。
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