本论文主要研究带有侧向耦合介观结构器件的量子线中电子的光辅助隧穿特性.其内容主要包括以下两部分:第一,根据量子波导理论,同时推广了Cai等提出的方法,我们研究了带有侧向耦合量子门的光辅助电子隧穿.结果获得了传输系数(或电导)作为入射电子Fermi动量,光场的频率和强度的的函数.研究表明,量子门中电子单光子的吸收或发射将打开一些新的非弹性散射通道.这些非弹性散射通道的传输系数显示出振荡的特征,它们的振幅随着入射电子的Fermi动量的增加而减弱,随着光场频率的增加而增强.当入射电子吸收或发射一个光子后,它的能量恰好等于孤立量子门中的本征态能级时,传输系数就会出现反共振现象(又称Fano共振)(透射系数为零).同样,非弹性散射通道对弹性散射通道的传输也存在一定的影响,我们也同时给出了讨论.第二,我们综述了纳米结构量子输运过程中的时间相关的非平衡态格林函数理论方法.应用这个方法,我们研究了带有侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿.本工作不仅计算了复传输振幅的模(它的平方与传输几率或电导有关),而且还给出了相位信息.研究结果表明:如果无光场作用时,量子点只有一个反共振传输尖谷(Fano共振),它的位置在量子点本征能量ε<,0>处;由于光场的作用,在电子传输系数中,将会出现一系列的反共振尖谷,它们的位置都处于ε<,0>±nhω(n=0,1,2…)处.这些反共振传输尖谷的幅度随着光场的强度和频率变化,其位置与光场的强度无关,但与光场的频率成线性关系.电子复传输振幅的相位曲线显示出非单调行为,并在ε<,0>±nhω处发生尖锐的突变.这些特征与量子点中的光辅助传输振幅的行为是一致的.我们同时研究了有限温的情况下的光辅助电子输运.结果表明:电子传输的反共振在低温下是明显的,但是随着温度的升高,反共振现象逐渐减弱.我们发现,当温度升高到某一特定的值时,反共振传输谷的能级处出现了反常的共振峰,同时传输相位发生突变.这些反常行为的物理解释可能是,温度的升高引起的退相干机制破坏了反共振传输态.