MEMS工艺设计与实验验证的周期长,成本高,因此准确有效地模拟MEMS加工工艺非常迫切。同时,一个具体的MEMS器件加工过程将会涉及到较多的工艺步骤,为了有效的控制加工过程和选择工艺参数,对工艺流程的设计和模拟是必不可少的。由于反应离子刻蚀(RIE, Reactive Ion Etching)具有较快的刻蚀速率,并且是具有高选择比的各向异性刻蚀,所以反应离子刻蚀在MEMS加工中得到了广泛地应用,是重要的MEMS加工工艺之一。反应离子刻蚀是个极其复杂的过程,构建MEMS工艺CAD系统,精确模拟反应离子刻蚀的过程是关键之一。有效、精确的模拟反应离子刻蚀过程,并且与其他MEMS加工工艺,例如各向同性沉积的模拟相结合,以至模拟整个MEMS的加工过程,建立MEMS工艺CAD系统,对于MEMS的设计和制造具有重要意义。论文首先简单介绍了MEMS与MEMS CAD;接着简单介绍了MEMS加工中的常用刻蚀工艺;然后介绍了反应离子刻蚀的常用模型以及常用模拟算法;在分析了反应离子刻蚀机理后,分析了论文采用的工艺模型,采用线算法模拟反应离子刻蚀过程,并采用线算法和元胞算法的混合算法对模拟过程进行了改进,采用C++语言编制模拟软件;软件能够较为精确的模拟反应离子刻蚀过程,能够模拟非对称掩膜情况下材料的刻蚀过程,能够模拟反应离子刻蚀的Lag效应,能够模拟不同温度,不同离子能量条件下的刻蚀,以及能够与其他加工工艺模拟相结合,模拟多道加工工艺的过程。最后比较了一定条件下的刻蚀结果和模拟结果,比较了Lag效应的实验结果和模拟结果,比较了多道加工工艺结合的实验结果和模拟结果,两者吻合的较好。