发射材料关系到有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)的器件效率、稳定性及制备成本,是该研究领域备受关注的核心问题。低成本、高性能发射材料的开发将进一步拓展OLED的应用范围。新型螺环芳烃螺[芴-9,9′-氧杂蒽](SFX)具有“一锅法”合成优势及良好的稳定性;同时,其二元化的芳香结构为结构衍生、分子设计提供了广阔的空间。本论文经Miyaura硼化和Suzuki偶联反应,成功制备了基于SFX和苯并噻二唑(BT)的D-A-D型荧光分子2-SFX-BT和2′-SFX-BT。产物结构通过1H NMR谱、MALDI-TOF质谱,以及X-射线单晶衍射进行了表征。利用紫外-可见吸收光谱和稳态/瞬态荧光发射光谱,测试了两个化合物的光物理性质,氯仿稀溶液中,二者的最大吸收波长均位于409 nm左右,发射峰位于529 nm附近。溶剂变色效应分析表明,两个化合物的荧光发射源于分子内SFX与BT单元间的电荷转移激发态。采用循环伏安分析测试了化合物的HOMO和LUMO轨道能级,2-SFX-BT和2′-SFX-BT的HOMO/LUMO的能级分别为-5.78 e V/-2.92 e V和-5.65 e V/-2.99 e V。以2-SFX-BT和2′-SFX-BT为荧光发射材料,使用二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)作为主体材料,通过真空蒸镀方式制备了掺杂器件。在30 wt%掺杂浓度下,2-SFX-BT和2′-SFX-BT器件的最高电流效率(CE)分别为15.67 cd/A和16.24 cd/A;最大功率效率(PE)分别为15.38 lm/W和15 lm/W;最高外量子效率(EQE)分别为4.76%和5.02%;器件最大亮度可分别达到17600 cd/m~2和17990 cd/m~2。鉴于SFX位阻结构的抗浓度淬灭性能,进一步考察了两个材料非掺杂器件的电致发光性能。非掺杂器件的发射峰均位于525 nm,4～10 V操作电压下的电致发光谱图未出现漂移和宽化,表明载流子在发射层充分复合。2-SFX-BT和2′-SFX-BT非掺杂器件的最大CE分别为13.75 cd/A和14.02cd/A,PE为7.71 lm/W和8.81 lm/W,EQE为4.08%和4.25%。综合光物理性质、分子晶态堆积结构及电致发光性能分析可知:利用SFX的2′-位构建D-A-D型荧光材料,有利于增强电荷转移态辐射跃迁,并可弱化分子间聚集,从而获得高性能荧光材料。该结果为开发基于SFX的OLED发射材料提供了可参考的实验依据和新的分子设计思路。