Sn的电化学原子层外延及其在电化学分析中的应用研究

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  本硕士学位论文主要就电化学原子层外延法在多晶金和单晶硅电极表面构建SnSe半导体化合物进行了研究,并用多种电化学方法及X-射线衍射(XRD)对沉积机理和化合物形态进行了研究和表征,证实了电极表面SnSe化合物的形成。同时研究了锡(Sn2+)在多晶金电极表面的欠电位沉积和吸附行为,并将Sn的欠电位沉积研究结果用于实际样品分析中,得到了令人满意的结果。 循环伏安、计时库仑(CC)及微分脉冲阳极溶出伏安法等电化学方法研究了Sn2+在多晶金电极表面的欠电位沉积与吸附行为。基于Au/SnUPD体系良好的电化学特性,发展了两种测定低浓度锡的新的电化学分析方法。将两种方法都用于实际样品的分析,得到了与ICP-AES相吻合的结果。
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