微发光二极管（Micro-LED）是一种新兴的显示技术,相比于当前的TFT LCD显示和AMOLED显示技术,其具有低功耗、高亮度、长寿命、更快的响应速度等诸多优势,近年来引起了各方广泛关注。金属氧化物TFT具有迁移率高,均匀性好,关态电流低等卓越特性,在新型显示技术领域具有较高的应用前景。而TFT背板技术与Micro-LED显示的结合,在可穿戴显示设备、透明显示等应用场景展示出潜力。本文对Micro-LED显示技术的发展情况、相关技术瓶颈、驱动方案、像素电路设计方向进行了详细的梳理,并基于金属氧化物TFT设计了三种Micro-LED显示有源驱动像素电路。所设计像素电路均属于模拟PWM驱动,分别为反相器像素电路、上拉控制像素电路以及补偿型像素电路。反相器像素电路设计中,可通过三角波信号控制Micro-LED的发光与关断。发光时驱动管工作在饱和区,可为Micro-LED提供稳定的放光电流。面向60Hz帧率的像素电路测试结果表明,发光电流最大脉宽达到13.3 ms,发光占比83%。实验证明,模拟数据信号可以有效控制发光电流脉宽,实现PWM驱动发光。同时,反相器像素电路只需6个信号即可实现模拟PWM驱动,电路驱动方式相对简单。上拉控制像素电路中,独立像素电路的测试结果表明,数据信号可以通过改变发光电流脉宽改变发光亮度,且在发光期间电流稳定而不受Vdata影响,完美地实现了恒流驱动,能有效避免Micro-LED因发光电流变化而引起的色偏问题。同时,还基于IZO TFT背板制备了上拉控制像素电路驱动的Micro-LED阵列,并成功点亮。其中,Micro-LED阵列的像素尺寸为600μm×600μm、分辨率为48×29。测试过程中,Micro-LED阵列可完全关断无漏光（数据信号电压Vdata-8 V）,九点法测量下亮度均匀性达到74%。上拉控制像素电路共需要7个驱动信号,具有结构简单、占用面积小、可实现PWM恒流驱动的优点。补偿型像素电路设计中,在上拉控制像素电路的基础上,通过阈值电压补偿的方式消除因TFT阈值电压漂移而产生的非均匀性问题。基于IZO TFT背板制备了分辨率16×15的Micro-LED阵列,并成功点亮。测试过程中,Micro-LED阵列发光亮度受数据信号控制,可完全关断无漏光（Vdata>0 V）,最大发光亮度达到970 cd/m~2（Vdata<-5V）。补偿型像素电路虽然使用TFT数目增多,但亮度均匀性改善效果明显。通过九点法测量发现,补偿型像素电路驱动下的阵列亮度均匀性达到88%,与上拉控制像素驱动下Micro-LED阵列相比改善了14%。