Al2O3薄膜具有许多优良特性,如宽禁带、高介电常数、高硬度、耐磨性好等,集光、电、机械性能于一体,具有非常广阔的应用前景,广泛用于光学、微电子、机械、医学、化工等诸多领域,而 Al2O3薄膜的这些优良性能与其制备方法和工艺参数是密不可分的。　　 本文采用磁控反应溅射法在单晶硅片(100)上制备 Al2O3薄膜,并在中国低活化马氏体不锈钢(CLAM)上制备了单层 Al2O3、SiC、W薄膜以及Al2O3／SiC、Al2O3／W双层膜。借助荧光光谱、红外吸收光谱(IR)、电阻率、表面形貌、显微硬度的测试,对所制备薄膜的光学性能、电学性能、力学性能进行了分析和总结。主要内容如下:　　 第一章简述了 Al2O3薄膜的结构、特性、应用、制备方法以及薄膜的各种检测技术和表征手段。　　 第二章介绍了磁控溅射法制备薄膜材料的原理、制备方法以及薄膜的沉积过程。　　 第三章研究了在单晶硅片上制备 Al2O3薄膜,溅射工艺参数对 Al2O3薄膜沉积速率的影响,主要包括溅射气压、氧氩比例、溅射功率与 Al2O3薄膜沉积速率的关系。　　 第四章研究了 Al2O3薄膜的光致发光特性、电阻率、表面形貌以及红外特性。重点研究了氧氩比例对 Al2O3薄膜荧光光谱的影响、溅射气压对 Al2O3薄膜电阻率和表面形貌的影响以及 Al2O3薄膜的红外吸收特性。　　 第五章研究了在中国低活化马氏体钢(CLAM)表面制备单层 Al2O3、SiC、W薄膜以及 Al2O3／SiC、Al2O3／W双层膜,对各种薄膜的显微硬度进行了测试分析。　　 第六章为全文总结。