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ZnO有许多优良的光学和电学特性,如:可见光区的高透过率,低的电阻率,强烈吸收紫外光,优良的压电和气敏特性等等;它已经广泛应用在透明导电薄膜、表面声波器件和气体探测器等器件中。ZnO薄膜的光电学性质强烈依赖于其制备的工艺条件,如:基片温度、氧分压以及退火处理等。本论文利用磁控溅射和电子束蒸发方法制备ZnO薄膜,研究制备工艺条件对ZnO薄膜性能的影响。具体内容有:(1)利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜,研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响。结果发现,随氧分压的增加,薄膜的(