第三次工业大革命以后,电子半导体技术有了飞快的发展,具备灵活、轻便、成本低廉、易于集成等特点的光电探测变得越来越受欢迎,而这些技术的进步离不开其背后的决定性因素:纳米材料的制备。与晶体材料相比,纳米材料具有肉眼不可见的微观形貌,根据微观结构的不同可以被分为零维、一维、二维、三维,每种维度都有它独一无二的特性,对应于不同的应用场所。与此同时,实现晶体材料纳米化的制备技术,也为纳米材料在电子器件等方面的应用打开了一扇新的大门。晶体材料被纳米化之后,性能往往会发生意想不到的变化,如表面积的增大,电子迁移率的提高,带隙的转变等,这些变化对器件的性能都有着至关重要的影响,如石墨烯被成功剥离后,发现其载流子迁移率达到了10⁶ m/s,是光速的1/300;单层光吸收率为2.3%,反射光不到0.1%,透射光达到97.7%,这些优异的光电性能使得其在电池、电容、光催化、光探测等领域就有着重要的应用。近十几年来,很多研究者都致力于构造纳米材料的微观结构,在原来的基础上实现了很多新的突破,其中复合材料不仅能结合不同材料的优势,还能结合不同纳米结构的优势,这对纳米材料的应用是一个很好的思路。本学位论文研究了V₂O₅纳米线和Mo Se₂纳米花的光电探测性能,并在此基础之上分别对这两种材料进行了复合,与复合之前的结果相比,性能上都有了一定的提高,具体内容如下:1.制备V₂O₅纳米线和Mo Se₂纳米花,分别测试光电探测性能;2.对上述测试结果进行分析,确定使用石墨烯与V₂O₅纳米线进行复合,使用WSe₂纳米片与Mo Se₂纳米花进行复合;3.制备石墨烯与WSe₂纳米片,制备复合结构;4.测试复合结构,经分析后得出,V₂O₅纳米线与GO的复合结构的光电流比复合前提高了十倍以上,但是响应时间有所延迟;Mo Se₂纳米与WSe₂纳米片复合结构的光电流和响应时间都有所提升。最后,对本论文的研究结果进行了总结,分析了实验的不足之处和改进方法,希望对他人在此的相关研究有所帮助。