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本文在极低温(0.260K)下对表面声波单电子器件进行了研究，在国内观察到表面声波搬运电子形成的声电电流。在给分裂栅加适当的负电压情况下，观察到当源漏偏置电压小于某阈值电压时，源漏电流为零，即出现库仑阻塞现象。固定源漏电压，观察到源漏电流随分裂栅电压的变化出现库仑阻塞振荡现象。然后当叉指换能器耦合不同频率的微波信号时，测量流过源漏两区的声电电流，测得叉指换能器的一个共振工作频率。给叉指换能器耦合共振工作频率微波后，观察到声电电流随分裂栅电压的变化同样出现库仑阻塞。用静电模型的库仑阻塞理论解释了源漏电流的库仑阻塞振荡和声电电流的库仑阻塞现象。