【摘 要】
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该文以GaN薄膜和TiO纳米级超细粉为例,详细讨论了MOCVD技术在这两个方面的应用.在薄膜应用方面该文是以GaN为例.详细讨论了GaN及其有关材料的基本性质,包括结构特性、化学特
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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该文以GaN薄膜和TiO<,2>纳米级超细粉为例,详细讨论了MOCVD技术在这两个方面的应用.在薄膜应用方面该文是以GaN为例.详细讨论了GaN及其有关材料的基本性质,包括结构特性、化学特性、电学特性和光学特性等.综述了GaN材料的研究现状、制备方法及优缺点,阐述了MOCVD方法制备GaN材料的重要意义,指出了GaN材料的应用前景.然后采用MOCVD方法制备了GaN薄膜材料,研究了工艺条件包括Ⅴ/Ⅲ比、沉积温度和缓冲层对薄膜性质的影响规律.在超细粉的应用方面是以TiO<,2>纳米级超细粉的制备为例.研究了纳米级超细粉概念的发展历史、研究意义和应用前景.然后采用MOCVD方法制备出了TiO<,2>纳米级超细粉,采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式,获得了不同性质的纳米级超细粉.总之,我们的实验证明,MOCVD技术在薄膜和超细粉的制备方面具有广阔的应用前景.
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