【摘 要】
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近年来,钛酸钡基陶瓷在电子产业中扮演着不可或缺的角色。随着高性能电子器件向着微型化,集成化的方向发展,提高其介电常数和温度稳定性成为研究的热点。前期研究发现Sr、Tm掺杂Ba0.7Sr0.3Ti0.9925Tm0.01O3(BST)陶瓷的介电常数可达几十万,但介电损耗大幅增加。为了制备具有高介电常数、低介电损耗及良好介电稳定性的陶瓷,本文在此基础上采用包覆和复相陶瓷的改性方法,通过溶胶凝胶和化学沉
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近年来,钛酸钡基陶瓷在电子产业中扮演着不可或缺的角色。随着高性能电子器件向着微型化,集成化的方向发展,提高其介电常数和温度稳定性成为研究的热点。前期研究发现Sr、Tm掺杂Ba0.7Sr0.3Ti0.9925Tm0.01O3(BST)陶瓷的介电常数可达几十万,但介电损耗大幅增加。为了制备具有高介电常数、低介电损耗及良好介电稳定性的陶瓷,本文在此基础上采用包覆和复相陶瓷的改性方法,通过溶胶凝胶和化学沉淀法制备了BST@BiScO3、BST-MgO复合陶瓷,研究了BST基陶瓷的制备工艺及BiScO3、MgO对BST基陶瓷组织及性能的影响。通过优化BST基陶瓷的制备工艺发现:BST基陶瓷粉末经1-2kN/s升压速率加压至25kN,保压5 min后得到完整块体;BST基陶瓷的最佳排胶工艺为700℃保温1h;BST、BST@BiScO3、BST-MgO陶瓷的最佳终烧结温度分别为1380℃、1250℃、1300℃。溶胶-沉淀法制备BST@BiScO3陶瓷粉末经透射电镜证实BST粉末表面成功包覆了非晶态BiScO3纳米颗粒。烧结后BST@BiScO3陶瓷的晶粒尺寸随BiScO3的增加而减小。当添加量为4 mol%时,BST@BiScO3陶瓷晶界处析出富铥相颗粒。随BiScO3含量的增加其介电常数逐渐下降,但仍保持在10000以上,介电损耗明显降低,其居里峰变宽并向高温移动。BST-MgO陶瓷由XRD和拉曼光谱证明其具有单一的钙钛矿结构且高温烧结导致MgO进入BST晶格中,长程极化被破坏,晶体结构由伪立方相转变为四方相。BST-MgO陶瓷晶粒尺寸减小,MgO颗粒均匀分布在BST晶界处,抑制晶粒生长。随MgO含量的增加,陶瓷介电常数逐渐下降,介电损耗明显降低,且均小于0.004。此外,由于Mg2+和Ti4+发生置换形成氧空位,居里峰向低温移动。
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