【摘 要】
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高功率量子阱激光器是当今高功率激光器发展的重要方向之一，但是大功率量子阱半导体激光器在运转的过程中，来自有源区产生的热量使器件的温度升高，成为限制高功率半导体激光器发
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高功率量子阱激光器是当今高功率激光器发展的重要方向之一，但是大功率量子阱半导体激光器在运转的过程中，来自有源区产生的热量使器件的温度升高，成为限制高功率半导体激光器发展的重要因素。随着功率的日益提高解决器件的散热问题是理论研究和技术发展的重要课题，也就是器件的温度敏感性问题，即T0问题。 本论文“高特征温度大功率应变量子阱半导体激光器设计研究”，从应变量子阱半导体激光器出发，在材料物理性质和器件结构两个方面分析了影响T0值的几种因素，设计并制作出具有大的T0值的AlInGaAs／AlGaAs／GaAs压应变量子阱激光器。器件的输出连续功率都在1W以上，最高工作温度可达60℃，最低阈值电流为0.29A，很大地降低了激光器对温度的敏感性。测试结果与理论设计很好的符合。
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