ZnS是一种II-VI族化合物直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.6～3.8eV,具有良好的光电性能,广泛应用于光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等,其中作为铜铟硒基薄膜太阳电池的n型窗口层,以其优良的光电转换效率和无毒、环保价值替代CdS薄膜。ZnS基质材料经适当掺杂（如Mn、Tb等杂质原子）可以获得从可见到紫外一个宽的发光波段,其中发光性能最好的是ZnS:Mn薄膜。本文是以SILAR （连续离子层吸附反应）法在玻璃衬底上制备ZnS薄膜及ZnS:Mn薄膜为主要研究内容,考察了工艺参数对薄膜质量的影响,对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相关系进行了观察和分析,对ZnS薄膜进行了光致发光分析。随着循环次数的增加,薄膜表面的颗粒尺寸趋于增大。所得到的薄膜样品在常温下为非晶态结构,经热处理可导致晶化,结晶度与热处理温度密切相关。XRD分析结果说明退火处理的薄膜样品为具有立方闪锌矿、六角纤锌矿混合晶体结构的ZnS材料;XPS分析结果表明,ZnS薄膜的成分是偏离化学计量比的,偏离计量比的原因主要是形成了Zn-O键。本文还简要的讨论了以ZnCl₂和Na₂S·9H₂O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备了ZnS纳米粉,并用EDS、XRD射线衍射仪和透射电子显微镜对硫化锌微粒进行了表征。检测结果表明粉体样品为具有立方闪锌矿晶体结构的ZnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为8¹2nm。