近些年来,随着人们认识的深入以及科技的发展,富勒烯、各种团簇分子、纳米线、纳米带、纳米管、石墨烯等一系列低维纳米结构相继被发现和制备,并各自表现出奇特的电学性质。一直以来,对其他具有优良特性纳米材料的探索一直在进行。受应用环境特点所限（例如器件线宽、集成度等）,低维（二维、一维、零维）纳米结构才是纳电子器件最理想的构成材料。各类低维纳米结构的发现,给纳米电子器件带来更加广阔的应用潜力和前景。近年来,石墨烯等碳基纳米结构被广泛研究,与此同时,元素周期表上与碳邻近的硼元素所构成的硼基纳米结构也不断被制备和发现,表现出优异的特性。本文在量子力学第一性原理下,利用密度泛函理论结合非平衡格林函数研究的方法,研究了低维硼基、碳基纳米结构电子输运性质及其内在机理。本文的主要研究内容如下:首先,针对FeB₂单层纳米带,研究了不同带宽以及边缘分别是铁原子和硼原子终止的锯齿型FeB₂单层纳米带的电子输运性质,并且发现了当带的两侧边缘分别以Fe和B终止时,FeB₂纳米带具有高度自旋极化现象。研究发现这一高度自旋极化现象主要由构成FeB₂纳米带所组成的二面角分布的对称性所导致。其次,对基于碳基的环丙基锂纳米结构的电子输运性质进行了研究。通过研究发现,环丙基锂衍生物分子[{μ-c-CSiMe₃C₂H₄}Li]₄具有显著的负微分电阻效应。更进一步,本文还探究了掺杂Ge原子对环丙基锂衍生物分子对电子输运的影响。通过深入的分析发现,负微分电阻效应是环丙基锂衍生物分子一种固有的本质属性。最后,本文还研究了单、双层石墨烯复合结构的电子输运性质。研究表明,对锯齿型单、双层石墨烯纳米带复合结构SD-ZGNRs（5,5）与SD-ZGNRs（5,6）都呈现出显著的塞贝克效应。研究发现锯齿型单、双层石墨烯纳米带复合结构的塞贝克效应主要是由反向自旋透射峰分立费米能级两侧所导致。