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Ge-SiO<,2>半导体纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及其光学性能研究
Ge-SiO<,2>半导体纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及其光学性能研究
来源 :苏州大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yap1711
【摘 要】
:
该论文研究了Ge-SiO半导体纳米颗粒镶嵌薄膜的制备技术、薄膜的微观结构和光吸收、光发射等光学性能.
【作 者】
:
陈静
【机 构】
:
苏州大学
【出 处】
:
苏州大学
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
半导体纳颗粒
镶嵌膜
射频磁控共溅射
量子限域效应
颗粒平均尺寸
光吸收
光致发光
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该论文研究了Ge-SiO<,2>半导体纳米颗粒镶嵌薄膜的制备技术、薄膜的微观结构和光吸收、光发射等光学性能.
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