氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.2 eV）Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。但是,实现AlN材料在光电器件上的广泛应用还面临重大挑战—难以获得有效的p型层。利用第一性原理的全势—线性缀加平面波（FP-LAPW）方法,我们研究了纤锌矿AlN材料的本征缺陷及ⅡA族元素（Be,Mg和Ca）掺杂AlN的p型效率。结果表明氮空位（V_N）在AlN材料中具有低的形成能并引入较深的施主能级,而在闪锌矿AlN和GaN中,V_N引入浅施主能级。计算得到的Be_Al,Mg_Al和Ca_Al在AlN中引入的受主能级深度分别为0.48,0.58和0.95 eV。在p型AlN中,处于间隙位置的Be（Be_i）表现为施主且具有较低的形成能,这使得它们很可能成为p型AlN中空穴的复合中心,然而,在富氮（N-rich）生长条件下Be_i的形成能明显提高。研究结果表明,Be,Mg和Ca在AlN中的p型掺杂效率受到杂质本身原子尺寸和电负性的影响;三种杂质中,Be可能是制备p型AlN更有效的杂质;N-rich生长条件有助于提高杂质在AlN中的含量。近年来,稀磁半导体受到越来越多的注意。本论文运用FP-LAPW方法研究了6.25%含量的Mg和Ca掺杂AlN(Al₁₅XN₁₆,X=Ca/Mg)的磁性质。Ca掺杂AlN的电子态密度在费米能级附近100%自旋极化,具有半金属磁性质。磁矩主要分布在由杂质Ca和其最近邻的四个N构成的CaN₄四面体内部,得到的总磁矩为1μ_B/Ca。对12.5%掺杂量的AlN(Al₁₄Ca₂N₁₆)总能量计算结果表明晶胞的铁磁态总能量比反铁磁态总能量低约32.6 eV,由此估算出的铁磁居里温度在300 K附近。Mg掺杂AlN的性质与AlN:Ca很相似,但是后者具有更大的半金属带隙和更稳定的铁磁基态,这表明AlN:Ca比AlN:Mg更适合作为自旋注入材料。既然杂质本身没有磁性,用Mg/Ca掺杂AlN将可避免通常用磁性杂质掺杂所带来的磁沉积问题,在自旋电子学领域将具有潜在应用价值。已有的研究结果表明,稀土掺杂半导体发光材料的温度淬灭效应严重受基体材料禁带宽度的影响—在宽带隙能的基体材料中稀土发光的温度淬灭效应更小。因此,稀土掺杂宽禁带的AlN半导体有望可以得到高效、受温度影响小的发光器件。在本论文中,我们重点研究了AlN及稀土（Er,Eu和Tm）掺杂AlN的结构和光学性质。薄膜制备采用通常的磁控溅射。对于制备的Er掺杂AlN薄膜,X-射线衍射测试表明所制备的样品为无定型薄膜,样品展示了强烈的室温光致发光光谱,可见光范围最强的绿光发射（～539和560 nm）源自Er³⁺ 4fⁿ轨道的²H₁₂和^S_3/2到⁴I_15/2能级的跃迁;对于AlN:Eu,我们研究了不同生长条件和退火温度下样品的PL光谱。在激励光辐射下,样品不仅发出了红光（～613 nm）,还出现了波峰位于～407 nm附近的紫光发射。红光对应于Eu³⁺ 4fⁿ轨道内部能级跃迁,而紫光可能与Eu²⁺离子的5d-4f能级跃迁有关。用磁控溅射我们还制备了夹层结构的Tm掺杂AlN薄膜。XRD测试表明制备的样品经退火处理后出现了六方AlN的衍射峰。光致发光测试观察到了源自Tm³⁺¹D₂-³F₄能级跃迁的光（～460 nm）发射,该发射峰强度受退火温度影响。