在拓扑绝缘体表面上放置一块铁磁绝缘体，由于磁近邻效应，将会产生一个交换场，即形成一个铁磁垒。本文利用传递矩阵的方法研究了在拓扑绝缘体表面上，单铁磁垒和双铁磁垒的电子输运特性。论文结论如下：首先研究了在单垒结构中，透射系数随入射角度、交换场及垒宽的变化情况。结果显示：Z方向的交换场打开一个能隙，因此阻碍电子透射。当交换场方向沿Z轴时，透射系数随入射角度变化的图像仍关于入射角(i n)0点对称。透射系数随垒宽周期性震荡。在双垒结构中，我们首先计算了透射系数随入射角度的变化。结果表明，与单垒结构中类似，透射系数随入射角度关于入射角(in)0点对称。透射系数不仅与交换场的大小，方向有关外，还与垒的结构参数有关。中间拓扑绝缘体区域的门电压也会影响电子的透射。当门电压接近入射能量时，电导极大值出现在反平行结构中。