近些年温度传感器的发展很迅速,随着在一些恶劣、特殊环境中检测需求的提出,有源有线的传感器容易受到约束。例如在高速运转的物体上或密闭的空间中,传统的温度传感器需要解决布线等问题。而一些无线有源和无线无源传感系统的测温范围不大,并且有源会增大传感器的体积,还会影响使用寿命。针对以上问题,本论文对声表面波（SAW）温度传感器进行了研究和制备,可在宽温度范围内实现温度测量,为后续实现无线检测奠定了基础。首先使用射频磁控溅射在蓝宝石（Sapphire）基底沉积（002）晶面择优取向的ALN薄膜。探究不同衬底温度、溅射气压、氩氮比、氩氮流量对ALN薄膜取向的影响,得到最优溅射参数为衬底温度375℃、溅射气压0.35Pa、氩氮比4:1、氩氮流量20sccm和5sccm。所沉积的ALN薄膜（002）衍射峰很强,半高宽（FWHM）为0.217°,具有良好的压电性。为了探究温度对ALN薄膜的影响,将基片在1000℃保温1h后进行了分析,结果表明,温度升高会使晶粒间的缝隙和表面粗糙度增大,（002）衍射峰强度降低,在1000℃下会有少量O元素渗透到ALN薄膜中,但仍然具有压电性。接着对传感器结构参数进行初步设计,并通过COMSOL软件对其进行仿真。在波长为20μm条件下,探究了不同金属电极厚度、金属化比率、ALN压电层厚度对瑞利波波速和机电耦合系数的影响,确定了Pt电极厚度为100nm、金属化比率为0.5。在ALN薄膜很薄时,传感器的温度频率系数（TCF）为负值,并随着厚度的增加而增大,为了提高器件的灵敏度,将ALN压电层厚度确定为2μm,此时TCF值为-57.23ppm/℃。然后使用沉积ALN薄膜后的基片对传感器实物进行制作。利用仿真得到的参数设计了掩模版,使用标准光刻工艺将基片表面的光刻胶图形化,接着沉积10nm过渡层Ta和100nm电极层Pt,最后剥离出传感器表面的叉指换能器和反射栅。最后使用马弗炉和矢量网络分析仪测试传感器的温度—频率响应。对传感器利用铂线和铂浆进行引线并固定在陶瓷片上,在23℃～800℃范围内测得TCF值为-54.65ppm/℃,发现传感器在800℃时失效,使用SEM观察到表面栅极金属产生了扩散、团聚现象。为了提高传感器的工作温度,分别溅射了400nm厚的Si O2和AL2O3保护层。测试结果表明,有保护层的传感器特征频率与TCF绝对值都会降低。在1000℃下,频率产生一定的漂移,保温1h后传感器表面的电极没有团聚,证明了保护层可以有效提高工作温度。但汇流条部分区域会产生缺陷,原因是过渡层Ta与ALN的结合力下降。