二维纳米材料具有独特的结构和物理性能，在电子学和光电子学领域具有广泛的应用前景。当前关于二维纳米材料的研究主要集中在以石墨烯和过渡金属硫族化合物为主的层状材料上。然而，很多具有优异特性和应用的半导体材料均为非层状材料，相对于层状材料而言，非层状材料具有三维成键的晶体结构，缺少二维各向异性生长的驱动力，其二维纳米结构制备具有一定的挑战性。近来科学家们发现范德华外延生长技术可以应用于二维非层状材料的制备，本文以Ⅱ-Ⅵ族半导体CdSe和CdS为例尝试进行其二维纳米结构的制备并对产物的光电性能进行了研究。主要工作如下:　　1.采用化学气相沉积的方法结合范德华外延生长技术在氟金云母片衬底上成功实现了CdSe超薄二维纳米片的制备。采用显微分析技术和拉曼光谱仪等系统地分析了产物的形貌、厚度、晶体结构、成分和光学性质。结果表明:CdSe纳米片具有六边形、截角三角形和三角形等形貌，尺寸约为几个微米，厚度约为几十纳米，具有六方纤锌矿型晶体结构，并且其形貌和厚度对生长环境具有一定的依赖性。另外，通过将产物与相同实验条件下在SiO2/Si衬底上获得的产物进行对比，证明了氟金云母片衬底对CdSe二维纳米片的成功制备具有重要作用。通过对产物温度依赖光致发光光谱的研究，发现我们所制备的CdSe纳米片在低温下具有强烈的束缚激子发光性能。制作了基于单个CdSe纳米片的光电探测器，在偏压为8V时探测器的光响应度约为5×102A/W，量子效率可达到1.4×103，响应时间约为24 ms，展现出了良好的光探测性能和循环稳定性。　　2.采用化学气相沉积的方法在氟金云母片衬底上制备了CdS二维纳米片，证明了该方法具有良好的普适性。通过一系列的显微分析方法以及拉曼光谱仪对产物的形貌、厚度、结构、成分和光学性能进行了表征，CdS纳米片具有六边形、截角三角形和三角形三种主要的形貌，尺寸约为几个微米，厚度约为几十纳米，具有六方纤锌矿型晶体结构，且其形貌和厚度具有一定的温度和气流依赖性。通过对CdS纳米片光致发光光谱的研究，证明其良好的光致发光性能。