ZnO:Ga薄膜的射频磁控溅射法制备及性能研究

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【摘要】

：

ZnO基透明导电氧化物薄膜作为一种有望取代ITO薄膜的光电信息材料,具有原材料丰富、价格低、无毒,且在氢等离子体中稳定性相对较好等特点。相比于研究较多的ZnO:Al(AZO)薄膜,ZnO:Ga(简称GZO)中的Ga原子半径、离子半径与Zn更接近,且Ga-O键与Zn-O键键长也更接近,可以减少薄膜的晶格畸变,同时不易出现Ga_2O_3相,理论上可获得更优异的光电性能。此外,研究薄膜在室温下的制备和性

【作者】

：

丛芳玲

【机构】

：

武汉理工大学

【发表日期】

：

2017年01期

【关键词】

：

GZO薄膜射频磁控溅射制备工艺 ZnO缓冲层

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