在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了流体静压力下GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态和激子态结合能及其光学性质。首先研究了反核/壳量子点的结合能随核尺寸、壳尺寸、A1组分以及杂质位置的变化关系;其次,分别研究了流体静压力下的GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态的结合能和光致电离截面;最后,进一步研究了 GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点两种模型的激子态结合能及其光电性能。数值计算了杂质态结合能和光致电离界面,激子态结合能、光吸收系数和辐射寿命,计算结果表明:1.反核/壳量子点的杂质态结合能随着量子点半径(核和壳尺寸)的增加单调减小。当杂质位置到量子点中心距离d增加时,杂质态结合能呈先增大后减小的趋势,出现一极大值。杂质态结合能随Al组分的变化受杂质位置影响较大,呈现不同的变化趋势,且变化比较明显。2.通过对GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态的比较,可知GaN/AlxGa1-xN核/壳量子点在不同杂质位置的结合能随核尺寸的增大单调递减。相反,对于反核/壳量子点,在不同的杂质位置,随着核尺寸的增大,结合能呈现不同的变化趋势。但二者的结合能都随壳层尺寸的增大单调减小。此外,当光子能量近似等于施主杂质态结合能时,光致电离截面会出现峰值。在不同的条件下会出现不同的峰值移动,其峰值强度随核尺寸和壳尺寸的增大而增大。在流体静压力作用下,结合能和光致电离截面的峰值强度随压力的增大而增大。3.通过两种模型的激子态结合能以及光电性能的计算,得出如下结论:对于GaN/AlxGa1-xN核/壳结构,结合能的变化趋势与激子辐射寿命的变化趋势一致,均随核尺寸的增大先增大后减小。反核/壳结构的结合能随核尺寸的增大先减小后增大,激子辐射寿命在不同壳尺寸下的随核尺寸的变化不同。对于这两种结构,当光子能量近似等于结合能时,吸收系数会出现峰值,并且在不同的条件下会有不同的峰值移动。