基于杂化钙钛矿的光电器件被研究者们广泛研究,他们将二维钙钛矿应用在器件上时器件表现出很好的稳定性,因此二维钙钛矿材料成为热点研究方向之一。为了提高器件的效率我们需要了解二维钙钛矿本身的光电物理性质并提高材料的载流子扩散长度。由此,本论文将探究高结晶度的纯二维钙钛矿（BA）₂PbI₄晶体的设计制备方法并对其光电物性进行研究,过程中使用（BA）₂PbI₄薄膜进行对比。首先,本研究采用缓慢降温法代替常用的自然降温法成功生长了大尺寸的（BA）₂PbI₄二维钙钛矿单晶并用一步旋涂法生长了（BA）₂PbI₄二维钙钛矿薄膜,随后分别对它们进行了表面形貌观测。AFM测试表明晶体是一层一层生长的,其表面光滑连续,相比之下薄膜则由晶粒紧密堆积而成其内部较为粗糙并且存在断层。此外,荧光显微镜测试进一步验证了AFM测试的结果,同时在晶体的边缘以及薄膜中晶粒的边缘我们发现了异于晶体内部的发光。随后为了验证我们生长的晶体是结晶度高的单晶并且说明材料本身的光电物性,我们分别对单晶和薄膜进行了吸收光谱测试。对于晶体我们发现其吸收光谱展示出很好的带隙吸收特征,在525 nm的波长处出现锐利的吸收带边。相反,薄膜则呈现出了纳米晶粒由于量子限域效应产生的激子峰。这说明我们生长的晶体内部能带连续有着较高的结晶质量。最后我们分别对单晶和薄膜进行了荧光光谱的测试以及荧光寿命测试。在对单晶测试时我们观测到521 nm处以及560 nm处的发光,对比薄膜只存在521 nm处的发光。由此我们推测晶体521 nm处的发光和薄膜的发光有着同样的来源,即由于表面粗糙造成的电荷重组。因此我们还生长出了仅存在560 nm处体相发光的单晶,说明该单晶的结晶度高,表面也很平整,有着较高的质量。荧光寿命方面我们发现单晶的荧光寿命接近于薄膜的9倍,并在双指数拟合的过程中单晶的长寿命比例占主要部分,薄膜的短寿命组分占主要部分。因此我们可以得到单晶的载流子扩散长度要明显大于薄膜,更适合作为器件的吸收层。