光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的30%。国内半导体生产厂家主要的光刻机台为ArF、DUV和MUV三种,ArF机台能力主要应用在0.11um以下工艺,DUV主要应用在0.11～0.18um工艺,MUV机台主要是大线宽的工艺,其中MUV机台价格相对较便宜。国内半导体产品大都在0.05um-0.3m之间,鉴于机台能力的限制,许多公司的DUV机台承担大部分产品的产能,但是DUV机台和材料成本都高于MUV机台。本文针对0.18um工艺金属层,对使用MUV机台替代DUV机台的技术工艺优化进行了研究。基于先进的光刻工艺技术,通过对抗反射图层、光刻胶厚度、曝光条件和显影程序分别进行优化,并采用OPC修正技术,提高MUV机台的工艺能力,使MUV机台能生产部分DUV的金属层产品,仿真和生产实践证明了优化工艺的可行性,该工艺的应用能够分担DUV机台负重,在不影响产品质量的情况下,提高产能,降低生产成本。