【摘 要】
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该论文涉及了High-K薄膜和金属/半导体异质结样品制备、结构和性质等方面的研究.其中包括:1.(Zr0)(Al0)x氧化物High-K薄膜生长条件和晶格结构的研究;2.In/Nb-SrTiO(Nb-STO)不
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该论文涉及了High-K薄膜和金属/半导体异质结样品制备、结构和性质等方面的研究.其中包括:1.(Zr0<,2>)<,1-x>(Al<,2>0<,3>)x氧化物High-K薄膜生长条件和晶格结构的研究;2.In/Nb-SrTiO<,3>(Nb-STO)不同制造工艺、温度与J-V性质、Schottky势垒的关系,及对J-V曲线的计算模拟.主要内容:1.简要介绍了High-K薄膜材料的研究目的、研究方向、主要性质、制备方法和样品晶格结构测量方法,同时对金属半导体Schottky二极管的基础物理模型进行介绍.2.对High-K薄膜样品的制备工艺(PLD方法)、电性质测量(J-V测量装置)、结构测量(X-Ray、HRTER、SEM)进行介绍和描述.3.采用PLD方法尝试在Si、NaCl和Al<,2>0<,3>衬底上沉积(Zr0<,2>)<,1-x>(Al<,2>0<,3>)<,x>不同复合比率的薄膜样品,并利用改变薄膜成分、生长温度和退火条件的方法,研究了非晶薄膜的生长条件,探索温度对非晶薄膜向多晶转变(晶化)的影响.4.研究温度变化对In/Nb-STO的异质结,其中Nb-STO的替代分别为0.01wt﹪、0.05wt﹪、0.7wt﹪不同样品的J-V特性和对Schottky势垒的影响,并进行了计算拟合,讨论与理想二极管模型的偏离.
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