High-K相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-ox......
采用磁控溅射法制备了TiO2／Al2O3堆栈结构高k栅介质薄膜，研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度，界面电荷和界面扩散的影响。实验结果......
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳......
High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......
采用Schroedinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流，该模型对栅电流中的三维电流成分用行波......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微......
随着微电子技术的飞速发展，按照摩尔定律发展的要求，SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一......
针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Π集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模......
纳米时代,发展新型的高介电常数(high-k)电介质材料以取代沿用至今的二氧化硅作为闸极电介质是当前微电子材料领域所面临的最大技......
