21世纪以来,聚合物有机半导体材料由于具有质薄轻柔、成本低、易加工和可大面积工业化生产等特点而受到广泛的关注。然而目前研究者大多聚焦于在可见光区吸收的共轭聚合物,吸收范围扩展到近红外区的聚合物相对较少。因此,本文通过引入吡啶噻二唑（PT）和吡咯并吡咯二酮（DPP）两种强吸电子结构单元构建了新型的窄带隙双受体型共轭聚合物材料,并测试了该聚合物材料在有机太阳能电池（OPV）以及有机场效应晶体管器件（OFET）中的性能。本论文的工作是设计、合成基于吡咯并吡咯二酮单元和吡啶噻二唑的单元的D-A1-A2共轭聚合物以及A1-A2型双受体共轭聚合物,并分别将其制备成OPV和OFET器件,其主要研究内容和结果如下:1、以苯并二噻吩（BDT）为给体单元、DPP为受体单元制备的聚合物PBDT-DPP为基础,引入强吸电子单元PT,设计合成新型D-A1-A2型共轭聚合物材料PBDT-DPP-PT,并探究其结构与性能的关系。曾经有文献报道过BDT与BT单元的共轭聚合物,但是能带隙较宽,不能很好地吸收太阳光。由于PT单元比BT单元的杂环上多了一个N原子,因而PT具有更强吸电子能力,同时PT单元也具有较好的分子共平面性,可以改善聚合物材料的载流子传输能力,降低共聚物带隙。因此我们将BT单元置换为PT单元重新设计了分子结构并成功合成了聚合物PBDT-DPP和PBDT-DPP-PT。经过循环伏安测试发现,与聚合物PBDT-DPP相比,引入PT单元的聚合物PBDT-DPP-PT具有更低的LUMO能级,这有利于提高载流子输送能力,紫外可见吸收光谱也发生了红移,同时能带隙大大降低,这有利于提高器件对于近红外区太阳光的吸收。2、为了得到高性能n型或双极性聚合物材料,本文以吡咯并吡咯二酮为骨架结构,引入PT单元,由于PT单元中N原子在聚合物中区域无规排列,常规缩聚方法只能得到区域无规的Ⅰ型聚合物,因此我们通过优化合成路线得到局部区域N原子对称排列的新型A1-A2型共轭聚合物Ⅱ型聚合物。Ⅰ型聚合物、Ⅱ型聚合物的HOMO/LUMO能级分别为-5.42 eV/-3.62 eV和-5.43 eV/-3.68 eV,可以发现两者都具有较低的LUMO能级,同时区域规整的聚合物相对于区域无规的聚合物LUMO能级更低、能带隙更窄。我们将Ⅰ型聚合物和Ⅱ型聚合物制备为OFET器件,经过测试它们的电子迁移率分别为0.1 cm² V^-1 s^-1和0.13 cm² V^-1 s^-1。这进一步说明我们新合成的A1-A2型聚合物在有机场效应晶体管有着不小的潜力,同时区域规整聚合物的设计思路也被证实是改善分子间堆积、制备高迁移率有机半导体材料的有效策略。