由于激烈的市场竞争，无线通信系统对射频集成电路不断提出低成本、低功耗、多功能的要求。在这种情况下，比较目前各种工艺，唯有CMOS能够满足要求。由于CMOS工艺的特点，功率放大器的设计也一直是射频集成电路设计的瓶颈之一。本文给出了功率放大器详细的设计步骤，完全按照工业设计标准实现了一个完整的IC设计流程。首先分析了CMOS工艺对功率放大器设计的限制，然后使用Matlab对功放晶体管进行建模，分析其功率特性，通过仿真，提出了CMOS功率放大器的设计和调试方案。采用美国捷智半导体公司的0.5μm CMOS工艺设计了一款2W的AB类功率放大器。该放大器工作频率为1.8GHz，输入输出匹配电路以及偏置电路采用片外分立元件实现，功放晶体管的主要设计指标参考了NEC公司的射频功放晶体管NE5510279A的设计指标，主要应用于GSM手持设备。在原理图设计的过程中考虑了实际封装时的键合线寄生电感对电路性能的影响；在版图的设计过程中，采用了很多减小寄生的策略。仿真结果表明，在频率为1.8GHz时，输入功率为25dBm，输出功率可达32.67dBm，附加功率效率为40％，工作电流为800mA，输入1dB压缩点为24.6dBm。