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重费米子超导材料一直是超导材料研究的重要内容。超导材料CeCu2Si2由于其独特的物性—反铁磁特性与超导电性共存，同时它的配对对称性、配对机制尚不明确，而且费米面情况也存在一些争议，所以CeCu2Si2仍然一直备受关注。反铁磁自旋涨落是诱导材料从一般正常态转变为超导态的重要原因之一，相关研究表明CeCu2Si2在常压下的超导电性就是有此而引起的，并且表现出d波配对对称性相关物理特性。 为探究CeCu2Si2的超导微观机理和非常规超导配对对称性，从单带紧束缚模型出发，利用多体格林函数结合T矩阵近似方法，拟合出了它的二维费米面拓扑结构，考虑掺入单个非磁性杂质，在波恩近似下计算博戈留波夫准粒子相干谱(QPI)和强散射势下的局域电子态密度(LDOS)及空间电子结构谱情况，主要研究了普遍认为的dx2-y2波和dxy波配对对称性。结果发现波恩近似下准粒子相干谱图像中，随着能量的增大，第一布里渊区内准粒子相干峰位置及其谱权重都发生了变化，与能量轮廓图定性一致。强散射极限下，两种d波配对态下的局域电子态密度情况是存在差异的，主要的特征为由于杂质散射势作用超导峰被抑制而在费米能量附近出现了杂质诱导的共振峰。两种配对对称性的空间电子结构谱也存在差异，与两种配对对称性的节线(Node Line)方向有关。期待未来的扫描隧道谱实验(STM)能验证现在的理论预言，为进一步了解CeCu2Si2的非常规超导电性做出贡献。