量子环相关论文
针对纳米结构STM图像的分割,旨在从复杂背景中识别出纳米结构区域,进而辅助其物理特性参数的分析。为提升纳米结构图像分割精度,采......
自从强光源出现以后，科学家们可以观察到以前所没有办法观察到的非线性光学现象。由此诞生了一门学科——非线性光学。自1960年首次......
采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴......
在量子环中电子与体纵光学声子强耦合的情况下,通过求解能量本征方程,得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及其波函数,进而以......
低维纳米结构的引入对中间带太阳电池的发展提供了潜在的应用价值，是第三代光伏发电最热门的研究领域之一。通过分析量子点中间带太......
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaA......
由于量子环特殊的结构,我们尝试过不少方法,发现一般传统方法很难求解薛定谔方程,故很难求出它的波函数和能级。国内外很多学者从......
讨论了负电荷激子X-的能-光谱及其Aharonov-Bhom振荡.负电荷激子是三个带电粒子组成的体系,其基函数(基矢)数目大,数值计算艰巨.以......
在量子环中电子与体纵光学声子强耦合的情况下,通过求解能量本征方程,得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及其波函数,进而以......
在量子环中电子与体纵光学声子强耦合的情况下,通过求解能量本征方程,得出电子的基态能量及其波函数,进而研究了量子环中极化子的......
在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化......
本文在分子束外延生长GaAs纳米线实验中，采用淀积Ga液滴在纳米线侧壁生长出量子点、量子环、量子双核等新奇结构，通过SEM及微区光谱......
在有效质量近似和绝热近似下，运用变分法，考虑了量子环的三维约束效应，选择含两个参量的尝试波函数，首先讨论了无限深圆柱形GaAs量子环......
Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点、量子环是半导体材料中最具代表性的低维结构体系，由于其在集成光电子器件、电子学器件、固态量子调控、量子......
自组织量子环是一种新近才被发现的纳米结构.它们是首先在Ⅲ-Ⅴ族材料中通过在量子点上覆盖一薄层的衬底材料得到的.我们首先在一......
导电原子力显微镜(CAFM)是在原子力显微镜(AFM)上发展出来的一种可用于研究表面电学性质的技术，利用导电针尖同时测量单个半导体量......
近年来，在低维半导体结构中，量子环以其独特的物理特性和广阔的应用前景备受关注，在理论和实验上人们进行了广泛的研究。
目前，在......
石墨烯(graphene)是碳原子分布在二维蜂巢晶格点阵上的单原子层晶体，自2004年英国曼彻斯特大学的物理学家Andre K.Geim和Kostya Nov......
近年来，随着器件的小型化以及集成度的逐渐提高，掀起了人们对分子器件的研究热潮。分子器件利用有机分子单层或单个分子作为介质来控......
本文简单地介绍了Frobenius流形的理论和几种构造Frobenius流形的不同方法.其次，本文着重介绍了量子奇点理论-FJRW理论，并给出了奇点......
扩张仿射李代数(简写为EALA)是一类重要的李代数，它包含了我们熟知的有限型和仿射型Kac-Moody代数．这类李代数最初由文[H—KT]的作者......
使用矩阵对角化方法,研究了磁场中两电子量子环自旋单态和三重态的电学和光学性质,发现磁场强度对两电子量子环的能谱和光吸收有强......
在量子环中电子与体纵光学声子强耦合的情况下,通过求解能量本征方程,得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及其波函数,进而以......
本文选取二维各向同性谐振子为基展开的波函数对垂直磁场下二维有限深圆柱形方势阱量子环中单电子的电子态进行相关的理论计算和分......
应用准精确解析求解的方法研究了一维量子环中的电子-空穴系统,得到环半径在一些离散的特殊取值的时候可解析地求得波函数和能量.......
使用矩阵对角化方法,研究了磁场中两电子量子环自旋单态和三重态的电学和光学性质,发现磁场强度对两电子量子环的能谱和光吸收有强......
在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化......
一个模型被建议与二学习量戒指深深地在一个可变磁场下面绑电子。强调被放到清澈尺寸(直径) 和部分 Aharonov-Bohm 摆动上的戒指的......
利用卡文迪许格林函数方法，从理论上研究一个引入磁通，且含有Rashba自旋轨道耦合作用的三终端量子环系统中的热电输运性质。经过研究......
期刊
由于量子环特殊的结构,我们尝试过不少方法,发现一般传统方法很难求解薛定谔方程,故很难求出它的波函数和能级。国内外很多学者从......
透射概率和概率流密度随量子环增大都会发生振荡。δ势垒增强会使概率流密度在下臂中单调增,在上臂中单调减。AB磁通增强时,透射概......
为了得出一维量子体系本征态的简易求解方法,介绍了一维有限格点量子链和量子环本征能量的一种求解方法,并且借助图示的方法对这两......
通过较精确地求解能量本征方程获得量子环中量子比特内的电子概率密度分布。对InAs量子环的数值计算表明：电子概率密度分布与电子的......
提出了铁磁/半导体/铁磁结构的四终端量子环模型,研究表明：透射概率随半导体环增大做周期性等幅振荡,并与电子的自旋方向和铁磁电极......
研究了双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻,研究结果表明：隧穿电导和隧穿磁电阻都随半导体环增大做周期性等幅振荡。δ势垒、Rashba自......
研究了量子环透射终端与入射终端相对位置改变时的变化规律。研究结果表明：透射概率和自旋极化率随半导体环尺寸的增大作周期性振荡......
在有效质量包络函数理论的框架下,研究了铟砷/镓砷量子环的电子态。计算中考虑了环内和环外的电子不同有效质量所产生的影响。用对......
①目的研究自组织GaAs/AlxGa1-xAs量子环中类氢杂质结合能随量子环外径、高度以及杂质径向位置变化的规律。②方法本文运用变分法,......
在有效质量近似理论下,利用变分法,计算了外磁场下圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质基态束缚能.讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(......
耦合系统比单系统要复杂得多,我们考虑斜磁场作用下双势阱中单个粒子的运动行为,系统可以认为是由简谐振子和类达芬振子相耦合的一......
在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_（1-x）As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量......
研究外加电场以及荷电杂质电场对量子环上双电子激发态的影响．结果表明：激发态对含有双电子的量子环中的能谱和持续电流具有控制作用......
在有效质量近似下,用微扰法研究InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级.受限势采用有限深抛物型势,在二维平面极坐标下,用薛定......
利用等效电荷变换法,把三维空间中的杂质电荷对位于X-Y平面上量子环的影响,用一个在X-Y平面上（或X轴上）的虚拟等效电荷取代,从而使计......
