高功率固体激光(HAP SSL)晶体Nd:GGG和Cr,Nd:GGG的生长、光谱和激光性能的研究

来源 :中国科学院上海光学精密机械研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JK0803_lichunfeng
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掺Nd离子的GGG晶体是高功率固体热容激光器的理想材料。Nd:GGG晶体与Nd:YAG激光晶体相比,具有一系列优异的性质:Nd:GGG晶体容易在平坦固液界面下生长,不会产生由于小面生长所引起的杂质、应力等集中的核心,整个横截面都可以有效利用,容易得到应用于大功率激光器的大尺寸板条和片状元件;Nd离子在GGG中的分凝系数为0.52,远大于在YAG中的分凝系数(仅为0.18),所以可以实现在晶体中的高浓度掺质;同时可生长大尺寸(大于15cm)单晶,并且Nd:GGG晶体具有好的力学和化学稳定性、高的热导率、宽的泵浦吸收带和长的荧光寿命,泵浦光的吸收和储能性都较好,可实现连续和脉冲式激光运转。Nd:GGG已成为大平均功率固体激光器的首选材料之一。所以生长并研究大尺寸的Nd:GGG晶体,是一项非常有意义的应用基础研究,将不论是对国防还是对民用都具有非常深远的影响。 该研究用中频感应加热提拉在国内首次成功的生长了直径为61mm的Nd:GGG晶体。对晶体生长过程中已出现的Ga2O3原料挥发、螺旋生长、容易引入包裹体等几个问题进行了理论和实验分析:通过对原料的前期处理,采用固相合()法,共沉淀等方法在较低的温度下合成了GGG多晶相,基本上解决了Ga2O3原料的挥发问题。生长过程中通过对比发现:通入气氛为Ar气+O2气时,晶体生长时的挥发较弱。通过在原料中加入Ca,Mg等二价离子解决了晶体生长时的螺旋生长问题;分析认为,晶体中包裹物的成因是由于生长过程中Ga2O3原料的挥发形成了局部的熔体组分富Gd2O3,从而有可能形成Gd4Ga2O9和Gd3GaO6。;另一种包裹物的成因可能是由于O2与Ir金属发生反应。 通过测量Nd:GGG晶体的吸收光谱,研究了Nd离子在晶体中的径向和纵向分布。实验结果表明,Nd离子在晶体中径向均匀分布,说明晶体生长是在平界面下进行的。沿纵向方向,由于Nd离子在晶体中的分凝系数小于1,所以随着晶体的生长,Nd离子的浓度在变大。研究了Nd离子在GGG和YAG晶体中的浓度猝灭方式,找出了Nd离子在两种晶体中浓度猝灭效应不同的原因。首次生长并系统研究了Cr,Nd:GGG的吸收光谱和荧光光谱特性。晶体的吸收光谱中分别存在中心位于440nm和610nm的Cr3离子的4A2→4T1和4A2→4T2跃迁,峰值位于0.53、0.59、0.75和0.81μm的Nd离子的几个吸收带;中心位于1.064nm的吸收带对应于Cr4离子的3T2→3T1跃迁。从吸收光谱上看,Cr,Nd:GGG晶体把Cr4离子的可饱和吸收特性与Nd3+离子的激光增益特性结合到一起,而且适合于二极管(LD)泵浦。这样有利于实现用Cr4+离子作为被动调Q开关的Nd3+离子的自调Q激光输出。并且Cr,Nd:GGG晶体的荧光强度比Nd:GGG晶体的要小,而且其荧光寿命比Nd:GGG晶体的要短,随掺入Cr4+离子浓度的增加而进一步降低,说明,尽管Cr4离子对Nd3+离子有浓度猝灭效应,这对于晶体的激光输出还是有一定好处的。 用808nm的钛宝石激光器泵浦1mm厚的Nd:GGG晶体微片获得了激光输出,输出激光波长为1.062μm,输出的最大平均功率为122mW,系统的激光效率高达20%,泵浦阈值为65mW。
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