【摘 要】
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在目前众多的石墨烯制备方法中，SiC外延生长石墨烯由于能和主流的CMOS工艺相兼容并且不需要衬底转移而受到研究人员的高度关注。然而，由于SiC外延生长石墨烯的质量受到温度、压
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在目前众多的石墨烯制备方法中，SiC外延生长石墨烯由于能和主流的CMOS工艺相兼容并且不需要衬底转移而受到研究人员的高度关注。然而，由于SiC外延生长石墨烯的质量受到温度、压力等诸多因素的影响，所以用此种方法获得大面积、均匀、高质量的石墨烯仍旧具有一定的挑战性。本文使用西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点科学实验室的Aixtron/Epigress VP508热壁式SiC外延系统进行石墨烯生长实验。在1580℃条件下氢刻蚀30min，形成了高度为0.65nm，宽度为0.69μm，粗糙度为0.384nm的SiC衬底表面台阶，该台阶有利于石墨烯的生长。并且，在1600℃条件下通2L/min的Ar气，控制压力在4mbar环境下加热120min得到了近2000μm2的石墨烯薄片。论文还设计了一种简单的石墨烯基场效应管，并对器件的具体制造过程作了详细介绍。
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