氧化镓（Ga2O3）材料作为新兴的超宽禁带半导体材料,由于其高达4.9eV～5.3eV的带隙产生的优良特性,如超高的巴利加优值、高的击穿电压等而在电力电子器件领域备受关注。在Ga2O3的多种同分异构体中,α-Ga2O3是一种亚稳定相,相对于稳定态β相,具有更高的带隙宽度,巴利加优值和击穿场强,且与氮化镓、蓝宝石有相似的六方晶型,因而在功率半导体器件性能和工艺集成上极具潜力。在众多功率器件中,肖特基二极管（SBD）一直占有举足轻重的地位,而α-Ga2O3的优良特性对于提高SBD的耐压性能、抑制反向漏电流具有重要价值,已逐渐成为当前的研究热点。本文采用Silvaco TCAD仿真软件对不同结构的肖特基二极管器件进行了建模计算和研究。针对α-Ga2O3这一新材料,我们通过反复模拟和校准,并与实验报道比对,从而确定器件的电学模型和材料的部分参数。本文分别建立了α-Ga2O3 SBD器件的二维和三维模型。在二维模型的优化中,发现了器件的反向特性中出现了初次击穿后的电流平台现象。通过调节影响器件的参数:掺杂浓度、漂移区厚度、场板宽度、场板数量,最终得出击穿特性中的电流平台随着漂移区厚度的增加而变长,但对掺杂浓度变化的依赖性较弱,划分场板数目可以优化电场分布并提升器件的击穿电压,其最大电场超过10MV/cm。在三维模型的优化中,添加了z方向上器件的厚度,通过不断调整阳极结构,并结合二维模型的参数中展现出的器件性能,研究结果表明七场板结构的三维SBD器件具有最佳的击穿电压和电场分布特性,其最大击穿电压为3.4kV左右,巴利加优值高达1.1GW·cm-2。