金属氧化物半导体薄膜的性质研究

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该文研究了射频反应性溅射方法制备的CdIn<,2>O<,4>(CIO)薄膜的气敏性质,测试了薄膜对酒精气体的灵敏随温度、气体浓度的变化以及传感器元件的响应曲线,实验表明:CIO薄膜对酒精气体有很好的敏感性,在CIO薄膜表面溅射上一层极薄的Pt作为催化剂之后,薄膜对酒精气体的灵敏性显著提高;探讨了多元氧化物CIO薄膜对酒精气体的气敏机理,分析了氧气和酒精气体在CIO薄膜表现发生的吸附及氧化还原反应,提出了多元氧化物CIO薄膜的气敏模型,并应用此模型对实验结果进行了分析.采用溶胶-凝胶法制备了纯的和Pd掺杂的SnO<,2>气敏薄膜,用X射线衍射方法分析了薄膜的结构和组成,研究了薄膜晶粒的生产与热处理温度的关系,结果表明:随着热处理温度的升高,晶粒逐渐长大,杂质Pd对晶粒生长有抑制作用;通过测试SnO<,2>薄膜的阻温特性曲线,分析了晶粒尺寸对薄膜气敏性质的影响,发现晶粒尺寸越小,薄膜的气敏性能越好;从气体反应动力学角度出发,研究了在SnO<,2>薄膜表面有气体氧化还原反应时,表面势垒与环境气氛的关系,产用此理论模型对相应的实验曲线进行了说明.
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