单分子磁体（SMM）由于其在高密度信息存储,量子计算机等领域具有巨大的应用潜力近年来吸引了广泛的关注。经过几十年的发展,基于镧系元素的SMM崭露头角,并取得了突破性的进展,尤其单核镧系元素的SMM也被称为单离子磁体（SIM）的研究备受关注。但是该领域依然面临着诸多关键科学问题,如操作温度过低,以及磁化量子隧穿（QTM）等过程的不利干预。幸运的是,在高对称性的晶体场环境下,可以有效地抑制量子隧穿（QTM）过程。另一方面,引入磁交换相互作用,调控体系配位场,对稀土单分子磁体磁弛豫行为也可以起到关键的作用。因此,本文通过对自旋中心的局域对称性和配位场的调控从而达到控制QTM和改善磁弛豫行为的目的。以三价稀土离子为自旋载体,由系列β-二酮配体和抗衡阳离子构建了一系列稀土四β-二酮的单离子磁体,并对其磁构关系进行了研究。此外,选取了体系中性质较为优越的配合物1巧妙的通过离子交换反应将其成功负载到Ga N表面,并对其磁学性质进行了研究。主要工作如下:1.以四丁基氯化铵作为抗阳离子与系列β-二酮稀土盐合成了系列D4d高局域对称性的金属配合物。主要配合物为[But4N][Dy（DBM）4]（1）,[But4N][Dy（HPMBP）4]（2）,[But4N][Dy（BTFA）4]（3）,Ga N-IM+-[Dy（DBM）4]-（4）（DBM=二苯甲酰甲烷,HPMBP=1,苯基-3-甲基-4-苯甲酰基吡唑啉酮,BTFA=苯甲酰三氟丙酮）。磁性测试结果表明配合物1在零场下显示出明显的慢磁弛豫行为,并在3 K观察到磁滞回线。又通过制备配合物2和3考查了不同局域对称性环境对自旋中心慢驰豫行为的影响。选取磁学性质优越的配合物1通过离子交换反应负载到氮化镓上,得到了一种新型的杂化材料。负载后的杂化材料在经过传统磁测量系统测试表明,配合物成功的负载到Ga N表面并且观察到了单分子磁体的慢驰豫现象。2.以四己基氯化铵为抗阳离子,调控β-二酮和中心稀土离子得到一系列配合物:[Hex4N][Dy（DBM）4]（5）,[Hex4N][Tb（DBM）4]（6）,[Hex4N][Nd（DBM）4]（7）,[Hex4N][Dy（TTA）4]（8）（DBM=二苯甲酰甲烷,TTA=a-噻吩甲酰基三氟化丙酮）,对配合物5-8的磁性质测试结果表现出明显的慢驰豫行为。3.在固定由DBM构筑的第一配位圈基础上考查了不同抗阳离子对配合物单分子磁性的影响,合成了配合物[Et4N][Dy（DBM）4]（9）,[Ph CH2N（CH3）3][Dy（DBM）4]（10）。